销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 ChipOneStop | BSZ22DN20NS3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 5000+:¥2.9901 10000+:¥2.87 25000+:¥2.78 50000+:¥2.71+:¥10.51 25+:¥8.78 100+:¥7.500110+:¥3.76 50+:¥3.09 100+:¥2.98 |
 Digi-Key 得捷电子 | BSZ22DN20NS3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 5000+:¥2.9901 10000+:¥2.87 25000+:¥2.78 50000+:¥2.7 |
 element14 e络盟电子 | BSZ22DN20NS3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 5000+:¥2.9901 10000+:¥2.87 25000+:¥2.78 50000+:¥2.71+:¥10.51 25+:¥8.78 100+:¥7.5001 |
 Mouser 贸泽电子 | BSZ22DN20NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 1:¥7.1416 10:¥6.1472 100:¥4.7234 500:¥4.1697 5,000:¥2.9154 10,000:查看
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 Verical | BSZ22DN20NS3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 5000+:¥2.9901 10000+:¥2.87 25000+:¥2.78 50000+:¥2.71+:¥10.51 25+:¥8.78 100+:¥7.500110+:¥3.76 50+:¥3.09 100+:¥2.981+:¥4.6701 |
 立创商城 | BSZ22DN20NS3 G | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 13uA 漏源导通电阻:225mΩ @ 3.5A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥6.91 200+:¥2.68 500+:¥2.58 1000+:¥2.54
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